首页> 外文期刊>International Journal of VLSI Design & Communication Systems >A High-Speed, Low Power Consumption Positive Edge Triggered D Flip-Flop for High Speed Phase Frequency Detector in 180 nm CMOS Technology
【24h】

A High-Speed, Low Power Consumption Positive Edge Triggered D Flip-Flop for High Speed Phase Frequency Detector in 180 nm CMOS Technology

机译:用于180 nm CMOS技术的高速,低功耗正边沿触发D触发器,用于高速相位频率检测器

获取原文
       

摘要

A high speed low power consumption positive edge triggered Delayed (D) flip-flop was designed for increasing the speed of counter in Phase locked loop, using 180 nm CMOS technology. The designed counter has been used in the divider chip of the phase locke
机译:高速低功耗正边沿触发延迟(D)触发器旨在使用180 nm CMOS技术提高锁相环中计数器的速度。设计的计数器已用于锁相器的分频器芯片中

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号