机译:在各种PMA条件下提高高k /金属栅极pMOSFET器件的可靠性
机译:氧沉积后退火提高了TDDB的可靠性和HfO_2高k /金属栅MOSFET器件的特性
机译:在高k /金属栅极Si / SiGe沟道pMOSFET中抑制硼瞬态增强扩散的方法的可靠性研究
机译:先进的高k /金属栅n-FET器件的可靠性
机译:底部界面层对带有高K /金属栅极的掺氟PMOSFET的阈值电压和器件可靠性的影响
机译:具有高k栅极氧化物和金属栅极的MOS器件中的辐射响应。
机译:栅堆叠结构和工艺缺陷对32 nm工艺节点PMOSFET中NBTI可靠性的高k介电依赖性的影响
机译:亚纳米等效氧化物厚度的高级高k栅介电非晶LaGdO3栅金属氧化物半导体器件
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。