机译:cNV SRAM:基于CMOS技术的基于非易失性SRAM的超低泄漏能量混合存储系统
J. Wang is with the Department of Electrical and Computer Engineering, North Dakota State University, Fargo, ND, 58102, USA (E-mail: jinhui.wang.1@ndsu.edu).;
Non-volatile SRAM; hybrid memory; leakage energy; sleep mode;
机译:用于低功耗65 nm FD-SOI / SON CMOS技术的高速减少泄漏的SRAM存储单元设计技术
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12μA/ Mb泄漏SRAM设计,并具有针对移动应用的集成式减少泄漏功能
机译:采用65 nm超低功耗CMOS技术的1.1 GHz 12 $ mu $ A / Mb泄漏SRAM设计,具有针对移动应用的集成式泄漏减少功能
机译:130nm RRAM技术的新型混合CMOS非易失性SRAM存储器设计
机译:深亚微米SRAM设计,可实现超低泄漏待机操作。
机译:具有片上系统应用混合传感器/存储器特性的CMOS兼容多晶硅纳米线器件
机译:45nm CMOS技术为生物医疗植入物新型超低功率SRAM位细胞的设计与分析
机译:用于高级sEU硬sRam的p阱或N阱CmOs技术