机译:揭示转移到异质石英衬底上的CVD生长石墨烯层中的吸收和折射光学非线性
Seoul Natl Univ Dept Phys & Astron Inst Appl Phys Seoul 08826 South Korea|Seoul Natl Univ RIAM Seoul 08826 South Korea;
Harvard Univ Dept Phys Cambridge MA 02138 USA;
Devi Ahilya Univ Sch Phys Indore 452001 India;
Graphene; Nonlinear absorption; Nonlinear refraction; Saturable absorption;
机译:通过HF-CVD技术直接在石英基板上生长的石墨烯单层膜的结构和光谱分析
机译:CVD生长的单层石墨烯转移到任意基材上
机译:在4H-SiC衬底上生长的几层外延石墨烯的光吸收和拉曼散射研究
机译:通过在Ni中生长的CVD-石墨烯,石墨烯对光纤侧的制备及可饱和吸收性能
机译:基于化合物半导体原生氧化物的技术,用于使用MOCVD在砷化镓衬底上生长的光学和电气设备。
机译:通过选择性电沉积MoO2纳米线探索在CVD生长的单层石墨烯上不同的电子转移位的反应性
机译:石墨烯转移:来自金属基板的高效电化学冒泡分层的高效电化学冒泡分层(ADV。母体。接口8/2016)
机译:将CVD生长的单层石墨烯转移到任意基材上。