机译:低温硫化时间对ZnS薄膜结构和光学性能的影响
Chinese Acad Sci Inst High Energy Phys Beijing 100049 Peoples R China|Wuhan Univ Sci & Technol Dept Appl Phys Wuhan 430081 Hubei Peoples R China;
Chinese Acad Sci Inst High Energy Phys Beijing 100049 Peoples R China;
Wuhan Univ Sci & Technol Dept Appl Phys Wuhan 430081 Hubei Peoples R China;
ZnS thin films; Vulcanization time; Slow-positron Doppler broadening measurements;
机译:基材温度和摩尔对混合结构Zn0.80cd0.20o薄膜光学和电性能的影响
机译:浴温和沉积时间对由化学浴沉积法合成的纳米颗粒ZnS薄膜的地形和光学性能的影响
机译:浴温和沉积时间对由化学浴沉积法合成的纳米颗粒ZnS薄膜的地形和光学性能的影响
机译:SILAR沉积的Cu-Zn-S纳米结构薄膜的室温宽范围发光以及结构,光学和电学性质
机译:使用CUINS2 / Zns量子点的溶液吸光度提取介电函数对有序的Langmuir-Schaefer薄膜的光学特性建模
机译:低温溶胶-凝胶法制备BiFeO3薄膜的微观结构电学光电和光伏性能
机译:硫化物前体在较低温度下生长的四方形Cu 2 ZnSnS 4薄膜的光学和形态学性质