机译:工艺参数对不锈钢衬底上溅射PZT薄膜的生长特性和铁电性能的影响
Electron Microscopy Section, CSIR - Central Glass and Ceramic Research Institute, Kolkata 700032, India;
Electron Microscopy Section, CSIR - Central Glass and Ceramic Research Institute, Kolkata 700032, India;
Electron Microscopy Section, CSIR - Central Glass and Ceramic Research Institute, Kolkata 700032, India;
Sputtering; Thin films; Electron microscopy (FESEM/TEM); Interface; Diffusion; Ferroelectricity;
机译:工艺参数对通过Sol-gel衍生法在不锈钢上实现的铁电和反铁电PZT薄膜的结构和电性能的影响
机译:工艺参数对通过Sol-gel衍生法在不锈钢上实现的铁电和反铁电PZT薄膜的结构和电性能的影响
机译:加工条件对Ti基溅射PZT薄膜结构,组成和铁电性能的影响
机译:退火处理对通过溅射在硅衬底上生长的PZT薄膜的铁电和压电性能的影响
机译:研究工艺参数变化对离子束溅射Sc2O3和HfO2薄膜的材料性能和激光损伤性能的影响。
机译:靶成分和溅射沉积参数对沉积在聚合物基底上的氮化银-坡莫合金柔性薄膜功能性能的影响
机译:Si衬底上溅射PZT薄膜的介电,铁电和压电特性:膜厚和取向的影响