机译:加工条件对Ti基溅射PZT薄膜结构,组成和铁电性能的影响
Electron Microscopy Section, CSIR-Central Glass and Ceramic Research Institute, Kolkata 700032, India;
Electron Microscopy Section, CSIR-Central Glass and Ceramic Research Institute, Kolkata 700032, India;
Thin film; Sputtering; Electron microscopy (SEM); X-ray photoelectron spectroscopy (XPS); Ferroelectricity;
机译:工艺参数对不锈钢衬底上溅射PZT薄膜的生长特性和铁电性能的影响
机译:等离子体压力对溅射沉积PZT薄膜生长特性和铁电性能的影响
机译:化学溶液沉积法制备组成梯度PZT薄膜的表面形貌和铁电性能
机译:退火处理对通过溅射在硅衬底上生长的PZT薄膜的铁电和压电性能的影响
机译:通过多离子束反应溅射沉积的铁电钛酸铅镧薄膜的组成/结构/性质关系。
机译:基材工艺条件和生长ZnO薄膜性能的底蛋白温度通过连续的离子层吸附和反应方法
机译:Si衬底上溅射PZT薄膜的介电,铁电和压电特性:膜厚和取向的影响