机译:等离子体压力对溅射沉积PZT薄膜生长特性和铁电性能的影响
Central Glass & Ceramic Research Institute, CSIR, Kolkata 700032, India;
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thin films; sputtering; electron microscopy; ferroelectricity; PZT;
机译:工艺参数对不锈钢衬底上溅射PZT薄膜的生长特性和铁电性能的影响
机译:铅源材料对用铅和氧化铅溅射沉积的PZT薄膜的微观结构和铁电性能的影响
机译:钛酸铅晶种层对溶胶-凝胶衍生PZT薄膜取向性能和铁电特性的影响
机译:真空等离子体蚀刻对薄铁电PZT薄膜电性能的影响
机译:氮对微波等离子体辅助化学气相沉积金刚石薄膜生长的影响
机译:溶胶-凝胶法制备的PZT / BFO多层薄膜的铁电性能
机译:Si衬底上溅射PZT薄膜的介电,铁电和压电特性:膜厚和取向的影响
机译:薄膜生长机制及表面化学对薄膜生长和性能的影响。