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机译:胶体二氧化硅和二氧化铈基浆料在Si面6H-SiC衬底CMP上的性能
Jiangnan Univ, Sch Mech Engn, Wuxi 214122, Jiangsu, Peoples R China;
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Chemical mechanical polishing (CMP); Silicon carbide (SiC); Silica; Ceria;
机译:稀释的胶体二氧化硅浆料与二氧化铈磨料混合对CMP特性的影响
机译:非球形胶体二氧化硅浆料对Al-NiP硬盘基板CMP应用的影响
机译:胶体二氧化硅性能的CMP工艺优化块状单晶衬底
机译:氧化铈和二氧化硅基浆料对氧化物和氮化物CMP的材料去除机理-介电CMP前后浆料的颗粒分析
机译:用于化学机械抛光的二氧化硅和二氧化铈纳米颗粒混合磨料浆料的胶体稳定性研究。
机译:由沉积在胶体二氧化硅膜上的金纳米棒形成的SERS基底
机译:基于磨料氧化铝(Al2O3)的CMP 6H-SiC晶体(0001)Si表面的材料去除率研究。
机译:二氧化硅微球的外延生长胶体晶体在三角阵列的图案化基板上