Micron Technology, Inc., 8000 S. Federal Way, P.O. Box 6 Boise, ID 83707, U.S.A.;
机译:氧化铈基CMP浆料中抛光垫粗糙度变化及其对材料去除特性的影响
机译:使用新型二氧化铈磨料对二氧化硅和氮化硅CMP的摩擦和去除速率的研究
机译:混合磨料浆去除氧化物CMP的机理分析
机译:基于二氧化硅和二氧化硅的浆料摩擦方面对氧化物CMP材料去除的影响
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:使用光密度法和折射率测量表征CMP浆料
机译:CMP浆料成分铜CMP铜钝化动力学的基本机制