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机译:氧化铈基CMP浆料中抛光垫粗糙度变化及其对材料去除特性的影响
Chemical mechanical polishing; Ceria slurry; Pad roughness; Material removal;
机译:氧化铈基CMP浆料中抛光垫粗糙度变化及其对材料去除特性的影响
机译:具有二氧化硅磨料颗粒的ILD CMP:CMP垫的孔径对去除速率分布的影响
机译:一种新的CMP去除率稳定技术,利用从焊盘表面抽吸浆液
机译:基于二氧化硅和二氧化硅的浆料摩擦方面对氧化物CMP材料去除的影响
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:义齿基托和衬里材料的化学粗糙度变化消毒或微波照射。义齿基托和义齿的表面粗糙度材料
机译:抛光过程中微观去除功能及浆料粒度分布与工件粗糙度的关系