机译:使用氧化铝(Al_2O_3)磨料的6H-SiC晶体衬底CMP的材料去除率
机译:6H-SiC(0001)衬底在压痕和磨料加工中的表面特性
机译:基于过程模型的6H-SiC(0001)基板上MgO(111)纳米薄膜的高结晶化学纯分子束外延分析
机译:基于磨料氧化铝的CMP 6H-SiC晶体基板(0001)Si表面的材料去除率研究(Al2O3)
机译:CMP过程中的磨料颗粒轨迹和材料去除不均匀性以及CMP浆料的过滤特性-模拟和实验研究。
机译:脉冲激光沉积制备6H-SiC(0001)衬底上VO2薄膜的增强的相变特性
机译:表面改性氧化铝颗粒及其化学机械抛光(CMP)在C平面(0001)蓝宝石底物上的行为