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Native oxides formation and surface wettability of epitaxial III-V materials: The case of InP and GaAs

机译:外延III-V族材料的天然氧化物形成和表面润湿性:以InP和GaAs为例

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摘要

The time dependent transition from hydrophobic to hydrophilic states of the metalorganic vapour phase epitaxy (MOVPE) grown InP, GaAs and InAs is systematically documented by contact angle measurements. Natural oxides forming on the surfaces of air-exposed materials, as well as the results of some typical wet chemical process to remove those oxides, were studied by X-ray photoemission spectroscopy (XPS), revealing, surprisingly, a fundamental lack of strong correlations between the surface oxide composition and the reported systematic changes in hydrophobicity. (C) 2016 Elsevier B.V. All rights reserved.
机译:通过接触角测量系统地记录了金属有机气相外延(MOVPE)生长的InP,GaAs和InAs随时间从疏水状态转变为亲水状态的过程。通过X射线光电子能谱(XPS)研究了暴露于空气中的材料表面上的天然氧化物,以及一些典型的湿化学法去除这些氧化物的结果,令人惊讶的是,这表明根本缺乏强相关性表面氧化物组成和疏水性的系统变化之间的关系。 (C)2016 Elsevier B.V.保留所有权利。

著录项

  • 来源
    《Applied Surface Science》 |2016年第15期|19-27|共9页
  • 作者单位

    Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst Lee Maltings, Cork, Ireland;

    IOM CNR Lab TASC, SS 14 Km 163-5, I-34149 Trieste, Italy;

    Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst Lee Maltings, Cork, Ireland;

  • 收录信息
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类
  • 关键词

    Hydrophobic surface; InP; GaAs; XPS; MOVPE;

    机译:疏水表面;InP;GaAs;XPS;MOVPE;

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