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机译:外延III-V族材料的天然氧化物形成和表面润湿性:以InP和GaAs为例
Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst Lee Maltings, Cork, Ireland;
IOM CNR Lab TASC, SS 14 Km 163-5, I-34149 Trieste, Italy;
Natl Univ Ireland Univ Coll Cork, Tyndall Natl Inst Lee Maltings, Cork, Ireland;
Hydrophobic surface; InP; GaAs; XPS; MOVPE;
机译:利用MOCVD对InP / GaAs衬底上InP外延横向过生长的表面表征
机译:InGaAs / GaAs近表面量子阱上外延薄层GaN和InP钝化的比较
机译:三甲基砷和砷化氢在邻近的InP衬底上生长的InGaAs和InP材料的表面形态
机译:在MOVPE生长的二元III-V材料上形成天然氧化物-对表面润湿性的影响
机译:通过湿化化学方法和氧化锌表面的模块化官能化来改变半导体表面,用于材料形态的化学保护
机译:GaAs上的低温等离子体增强了CVD的硅外延生长:III-V / Si集成的新范例
机译:纳米级蚀刻酸性氢过氧化氢溶液中的III-V半导体:GaAs和InP,表面化学中的对比度
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学