1.5 μm波长n-p-n型InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延生长

摘要

基于器件模拟仿真,设计了一种1.5 μm波长InGaAsP-InP晶体管激光器材料外延结构.其多量子阱有源区置于基区非对称波导中.仿真结果显示该外延结构能够获得较好的光场限制和侧向电流限制.对该材料MOCVD生长研究表明,基极重掺杂接触层中Zn2+扩散将导致量子阱严重退化.通过对其扩散过程的模拟仿真,采用平均掺杂浓度为1×1018cm-3的梯度掺杂,有效地抑制了 Zn2+向量子阱区的扩散.所获得的外延材料在1.51 μm呈现较强的PL峰值,具有卫星峰清晰的XRD谱.