State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, PO Box 912, Beijing 100083, China;
机译:高功率拉伸应变的GaAsP-AlGaAs量子阱激光器,发射的波长为715至790 nm
机译:拉伸应变的GaInAsP-InP量子阱激光器的发射功率为1.3 / spl mu / m
机译:GaAsP / AlGaAs拉伸应变量子阱激光器的780 nm波段TM模式激光操作
机译:拉伸的IngaAsp-inp量子孔激光,耦合磁盘在1.5µ m
机译:具有交互式量子阱吸收器的垂直腔面发射激光器:设计和应用。
机译:含水介质中晶体流体偶联微量磁盘激光的光谱调制
机译:GaInNAs量子阱垂直腔表面发射激光的最佳发射波长为2.33μm
机译:低损耗无源InGaasp-Inp量子阱波导中的非简并四波混频波长转换