2.1μm InGaAs多量子阱耦合脊激光器阵列

摘要

本文研究并制备了发光波长为2.1μm的InGaAs多量子阱耦合脊激光器阵列,该器件具有由16个中心间距为6μm、宽4μm的正梯形脊结构组成的耦合脊阵列结构.在脉冲注入条件下,器件能够在15-105℃温度范围内稳定工作.当温度控制在15℃,器件最大单面输出功率达到2W以上,阈值电流和斜率效率分别为0.57A和0.5W/A.器件表现出双瓣的远场分布特性,证明了器件内部分立的激射区之间存在耦合作用并实现了相位相干.

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