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彭怀德; 马朝华; 汪孝杰; 张盛廉; 吕卉; 王丽明; 武淑珍; 马骁宇; 张洪琴;
中国科学院半导体研究所;
激光器; 1.5μm; PBC; 新月型;
机译:在INAS / GAAS / INGAASP QD激光器的高特色温度,发射波长在INP衬底上的发射波长为1.5μm
机译:具有气相外延基础结构和液相外延再生的沟道衬底掩埋异质结构InGaAsP / InP激光器
机译:研究1.3um p衬底埋地新月(PBC)激光二极管
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:应变补偿的InGaAsP超晶格用于通过金属有机化学气相沉积减少在精确取向的(001)图案化Si衬底上生长的InP的缺陷
机译:镉扩散台面衬底掩埋异质结构InGaAsP / InP激光器
机译:InGaasp / Inp埋地异质结构激光器,同时制造条纹和反射镜
机译:基于InP衬底的热导率提高外延InGaAsP激光器中目标波长的激光产量的方法
机译:埋入异质结构的ingaasp / inp半导体二极管激光器的制造方法
机译:具有选择氧化型或离子注入型电流限制结构,InGaAsp量子阱以及InGaP或InGaAsp势垒层的表面发射半导体激光元件
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