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肖建伟;
无;
机译:具有Fe / Ti掺杂的InP电流阻挡层半绝缘层的1.3μm高速GaInAsP p衬底掩埋新月形激光器
机译:由于有源区的p型调制掺杂而导致的低阈值高T / sub 0 / 1.3- / splμm/ m InAs量子点激光器
机译:气源分子束外延生长的低阈值1.3 / spl mu / m InAsP n型调制掺杂MQW激光器
机译:钌掺杂InP掩埋在1.3微米DFB激光器上的p型衬底
机译:使用亚阈值光学频率响应技术确定1.3微米砷化铟镓/砷化镓QD激光器中的载流子寿命。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:在图案(001)Si上的低阈值外延生长1.3-μminas量子点激光器
机译:具有GaInp包层和质量传输埋层异质结构的低阈值InGaas应变层量子阱激光器(λ= 0.98微米)
机译:波长在1.3至1.5微米之间的表面发射垂直腔激光器及其实现
机译:CPD。半导体量子阱二极管激光器,用于在特定波长下工作。 1.3微米
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