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梁松;
中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室;
北京100083;
中国科学院大学材料科学与光电工程中心;
北京100049;
北京低维材料与器件重点实验室;
光电子学; 光电子集成; 半导体激光器; InP; 长波长;
机译:1.3μm波长NPN AlGainas / InP晶体管激光器的连续波操作可达90°C
机译:长波长基于InP的晶体管激光器中的有源区掺杂
机译:1.3μm波长的AlGaInAs / InP埋入异质结构晶体管激光器的设计与表征
机译:90°C CW操作1.3-μm波长NPN-AlGainAS / InP晶体管激光器由厚宽且宽的基电极
机译:InAlGaAs / InP发光晶体管和晶体管激光器工作在1.55微米附近。
机译:GaN基垂直腔面发射激光器中腔长和散热的重要性
机译:双异质结构长波长晶体管激光器的基宽变化及其对频率响应的影响
机译:用于固态激光器泵浦的基于Inp的长波长光源
机译:在InP衬底上生长的长波长激光器的材料系统
机译:基于InP衬底的热导率提高外延InGaAsP激光器中目标波长的激光产量的方法
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