机译:纳米级蚀刻酸性氢过氧化氢溶液中的III-V半导体:GaAs和InP,表面化学中的对比度
机译:酸性过氧化氢溶液中的Ⅲ-Ⅴ族半导体的纳米级蚀刻:GaAs和InP,表面化学形成鲜明对比
机译:酸性过氧化氢溶液对GaAs结构的微加工-实验和理论3D蚀刻形状
机译:柠檬酸/过氧化氢混合物对InGaAlAs和GaAsSb的受控刻蚀具有高选择性和良好的表面粗糙度
机译:酸性H_2O_2溶液中GaAs和InP的纳米蚀刻:动力学和表面化学方面的惊人对比
机译:量子尺寸半导体胶体的光催化反应:乙烯基单体的光引发聚合,过氧化氢和有机过氧化物的形成,羧酸的氧化以及类腐殖质的合成
机译:4型肠炎沙门氏菌噬菌体更耐高温耐酸或过氧化氢并且在表面上的存活时间更长。
机译:不掺杂GaAs在酒石酸 - 氢过氧化氢溶液系统中的化学蚀刻行为及机理
机译:在BCl(3)基化学中的III-V半导体的电感耦合等离子体蚀刻:第二部分:Inp,InGaas,InGaasp,Inas和allnas;应用表面科学