机译:调节石墨烯片中氮配体掺杂物的气敏特性:第一性原理研究
Zhengzhou Normal Univ, Coll Phys & Elect Engn, Quantum Mat Res Ctr, Zhengzhou 450044, Henan, Peoples R China;
Zhengzhou Normal Univ, Coll Phys & Elect Engn, Quantum Mat Res Ctr, Zhengzhou 450044, Henan, Peoples R China|Henan Normal Univ, Coll Phys & Mat Sci, Xinxiang 453007, Henan, Peoples R China;
Henan Normal Univ, Coll Phys & Mat Sci, Xinxiang 453007, Henan, Peoples R China;
Anyang Normal Univ, Sch Phys, Anyang 455000, Peoples R China;
Henan Normal Univ, Coll Phys & Mat Sci, Xinxiang 453007, Henan, Peoples R China;
Zhengzhou Normal Univ, Coll Phys & Elect Engn, Quantum Mat Res Ctr, Zhengzhou 450044, Henan, Peoples R China|Henan Normal Univ, Coll Phys & Mat Sci, Xinxiang 453007, Henan, Peoples R China;
First-principles calculations; Graphene; Sensing property; Electronic structure; Magnetic property;
机译:通过引入掺杂剂和缺陷改善石墨烯的SO_2气敏特性:第一性原理研究
机译:通过引入掺杂剂和缺陷改善石墨烯的气敏特性:一项第一性原理研究
机译:石墨烯和Pd掺杂石墨烯的气敏特性的第一性原理研究
机译:硼和氮掺杂石墨烯的电子和光学性质的第一原理研究
机译:从头开始研究石墨烯片和石墨烯纳米带中的掺杂剂-缺陷相互作用。
机译:吸附气体传感和光学性质屠宰单层的分子:一项第一原则研究
机译:通过引入掺杂剂和缺陷来改善石墨烯的气敏特性:第一原理研究
机译:可视化单层石墨烯中的单个氮掺杂剂