机译:原子层沉积合成的Al2O3增强了AlGaN / GaN离子敏感场效应晶体管的pH敏感性
Shenzhen Univ, Coll Mat Sci & Engn, Shenzhen 518060, Peoples R China|Shenzhen Univ, Minist Educ & Guangdong Prov, Key Lab Optoelect Devices & Syst, Shenzhen 518060, Peoples R China;
Sun Yat Sen Univ, Sch Elect & Informat Technol, Guangzhou 510275, Guangdong, Peoples R China;
Univ Tokushima, Inst Sci & Technol, Tokushima 7708506, Japan;
Shenzhen Univ, Coll Mat Sci & Engn, Shenzhen 518060, Peoples R China;
Shenzhen Univ, Coll Mat Sci & Engn, Shenzhen 518060, Peoples R China|Univ Tokushima, Inst Sci & Technol, Tokushima 7708506, Japan;
AlGaN/GaN ISFET; pH sensor; Atomic layer deposition; Al2O3;
机译:通过凹陷过程和氢氧化铵处理增强AlGaN / GaN离子敏感场效应晶体管的pH敏感性
机译:通过等离子氧化和Al2O3原子层沉积过度生长来调节AlN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管的阈值电压
机译:热氧化处理对AlGaN / GaN异质结构离子敏感场效应晶体管的pH敏感性的影响
机译:高k HfAlO栅极介电层的原子层沉积(ALD)功能增强了AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结场效应晶体管(MOSHFET)的性能
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN金属-氧化物-半导体高电子迁移率晶体管中作为栅极电介质的氧化镓膜的原子层沉积
机译:用于GaN / AlGaN / GaN MOS HEMT的低温原子层沉积生长的Al2O3栅极电介质:沉积条件对界面态密度的影响