机译:热氧化处理对AlGaN / GaN异质结构离子敏感场效应晶体管的pH敏感性的影响
Tokushima Univ, Inst Sci & Technol, Tokushima 7708506, Japan;
Tokushima Univ, Inst Sci & Technol, Tokushima 7708506, Japan;
Sun Yat Sen Univ, Sch Elect & Informat Technol, Guangzhou 510275, Guangdong, Peoples R China;
Tokushima Univ, Inst Sci & Technol, Tokushima 7708506, Japan;
AlGaN/GaN heterostructure ISFET; Sensitivity; Thermal oxidation treatment; alpha-Al2O3 crystal phase;
机译:通过凹陷过程和氢氧化铵处理增强AlGaN / GaN离子敏感场效应晶体管的pH敏感性
机译:Al 2 sub> O 3 sub>表面钝化和传感膜的基于AlGaN / GaN离子敏感异质结构场效应晶体管的pH传感器的研究
机译:原子层沉积氧等离子体处理对含HfO2的AlGaN / GaN金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的影响:漏电流和态密度降低
机译:AlGaN / GaN金属氧化物 - 半导体异质结构场效应晶体管(MOSHFET),具有Δ掺杂的阻挡层
机译:AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的工艺开发和表征
机译:自对准栅AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管的氮化钛的合成
机译:光洗处理对AlGaN / GaN异质结构场效应晶体管电性能的影响
机译:GaN / alGaN场效应晶体管中晶格和热应力的研究