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【2h】

Low-temperature atomic layer deposition-grown Al2O3 gate dielectric for GaN/AlGaN/ GaN MOS HEMTs: Impact of deposition conditions on interface state density

机译：用于GaN / AlGaN / GaN MOS HEMT的低温原子层沉积生长的Al2O3栅极电介质：沉积条件对界面态密度的影响

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Ťapajna Milan; Válik Lukáš; Gucmann Filip; Gregušová Dagmar; Fröhlich Karol; Tóth Lajos; Pécz Béla;
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年度 2017
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