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机译:HfO2-GaAs金属氧化物半导体电容器,使用二甲基氢化铝衍生的氮氧化铝界面钝化层
School of Physics and Materials Science, Anhui University, Hefei 230039, People’s Republic of China;
机译:使用源自二甲基铝的氮氧化铝界面钝化层的HfO_2-GaAs金属氧化物半导体电容器
机译:使用掺Ge的La氧氮化物作为GaAs金属氧化物半导体电容器的界面钝化层
机译:源自二甲基铝的氧氮化铝钝化层对HfTiO-InGaAs栅堆叠的界面化学和能带排列的影响
机译:具有薄锗钝化层的n-InGaAs衬底上的基于HfO_2的金属氧化物半导体电容器
机译:通过原子层沉积形成的高k砷化铟金属氧化物半导体电容器。
机译:以La2O3中间层的厚度为特征的HfO2 / Ge MIS电容器的电学性质和界面问题。
机译:NH3等离子体处理的钇氧氮化物作为界面钝化层的GaAs金属氧化物半导体器件的界面质量提高
机译:多层铝氮氧化物电容器,用于更高能量密度,宽温应用(预印本)