机译:InAlN / GaN高电子迁移率异质结构的热稳定性和原位SiN钝化
ICMP, École Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL), CH-1015 Lausanne, Switzerland;
机译:InAlN / GaN高电子迁移率异质结构的热稳定性和原位SiN钝化
机译:通过对热稳定的超薄原位SiN钝化层进行表面处理,减少InAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流塌陷
机译:具有高电子迁移率和平坦表面的GaN基FET InAlN / AlGaN / GaN异质结构的InAlN势垒层
机译:AlGaN / AlN / GaN异质结构中二维电子气迁移率分布的热展宽
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:热原子层沉积AlN钝化层对GaN-on-Si高电子迁移率晶体管的影响
机译:Algan / GaN高电子移动晶体管的SIN X和ALN钝化的研究:界面陷阱和极化电荷的作用