机译:通过对热稳定的超薄原位SiN钝化层进行表面处理,减少InAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流塌陷
TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;
Universitaet Ulm, Albert-Einstein-Allee 39, D-89081 Ulm, Germany;
Universitaet Ulm, Albert-Einstein-Allee 39, D-89081 Ulm, Germany;
AIXTRON SE, Kaiserstasse 98, D-52734 Herzogenrath, Germany,RWTH Aachen, Sommerfeldstrasse 24, D-52074 Aachen, Germany;
AIXTRON SE, Kaiserstasse 98, D-52734 Herzogenrath, Germany;
AIXTRON SE, Kaiserstasse 98, D-52734 Herzogenrath, Germany,RWTH Aachen, Sommerfeldstrasse 24, D-52074 Aachen, Germany;
TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;
Universitaet Ulm, Albert-Einstein-Allee 39, D-89081 Ulm, Germany;
TU Wien, Floragasse 7, A-1040 Wien, Austria;
Surface passivation; In situ SiN; High electron mobility transistor (HEMT); InAlGaN/GaN heterostructure;
机译:通过p-GaN栅极GaN高电子迁移率晶体管中的表面处理和钝化层改善电流崩塌
机译:通过重复臭氧氧化和湿法表面处理减少GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌
机译:具有和不具有表面钝化的无电流崩塌i-GaN / AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管
机译:减少AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中电流塌陷的薄膜表面钝化的比较
机译:在AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管上进行等离子增强化学气相沉积的氮化硅钝化的热稳定性。
机译:AlGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的电流崩塌是否可能源于沟道电子的能量弛豫?
机译:采用高应力siNx表面钝化层的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管中的低断态漏电流
机译:用于减少alGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEmT)中电流崩塌的表面钝化膜的比较