退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
刘燕丽; 王伟; 董燕; 陈敦军; 张荣; 郑有炓;
山东工商学院信息与电子工程学院 烟台264005;
南京大学电子科学与工程学院 南京210093;
N极性面GaN/InAlN; 高电子迁移率晶体管; 结构参数; 电学性能;
机译:N面GaN / AlN / GaN / InAlN和GaN / AlN / AlGaN / GaN / InAlN高电子迁移率晶体管结构,通过等离子体辅助分子束外延在邻近衬底上生长
机译:N2O表面处理对Inaln / GaN高电子迁移率晶体管电性能的影响
机译:AlN缓冲层厚度对InAlN / GaN高电子迁移率晶体管的材料和电性能的影响
机译:生长参数对InAlN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)中电性能的影响
机译:分子束外延制备InAlN / GaN异质结构的性能。
机译:X射线光发射光谱法测量的非极性A面GaN / AlN和AlN / GaN异质结构的能带偏移
机译:双势垒InalN / alGaN / GaN-on-silicon高电子迁移率晶体管,具有基于pt和Ni的栅极堆叠
机译:具有alsiN钝化的alGaN / GaN高电子迁移率晶体管的性能
机译:Inaln AlGaN Si GaN低薄层电阻GaN通道在Si基板上使用Inaln和AlGan Bi-Lay封盖堆叠
机译:通过消除生长过程中的氮极性小面而在异质衬底上生长的无堆叠缺陷的半极性和非极性GaN
机译:通过消除生长过程中的氮极极性面,在外国基质上堆积无缺陷的半球形和非极性gan
抱歉,该期刊暂不可订阅,敬请期待!
目前支持订阅全部北京大学中文核心(2020)期刊目录。