机译:在(100)GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs量子阱中的高迁移率二维空穴系统
Bell Laboratories, Lucent Technologies, 600 Mountain Avenue, Murray Hill, New Jersey 07974;
机译:探索GaAs / AlGaAs量子阱中二维空穴系统中迁移率的极限
机译:在Gaas(100)衬底上生长的Gaas-Algaas量子阱具有不同表面处理的光致发光和二次离子质谱表征
机译:金属有机气相外延在取向不佳的衬底上生长的AlGaAs / GaAs量子阱中的亚meV光致发光线宽和> 10〜6 cm〜2 / Vs电子迁移率
机译:GaAs / Algaas量子孔的界面突出的光致发光表征(411)A和(100)GaAs基板
机译:GaAs / AlGaAs异质结处两子带二维载波系统中的弹道传输。
机译:在(100)和(311)B GaAs衬底上生长的GaAs / AlGaAs多量子阱的深层瞬态光谱
机译:Gaas / alGaas量子阱中的高迁移率二维空穴系统 生长在(100)Gaas衬底上