机译:Xe轰击预非晶化的浅BF_2植入物是:Xe与f之间的相互作用
Joule Physics Laboratory, Institute of Materials Research, University of Salford, Salford, M5 4WT, United Kingdom;
机译:Xe和F在Si(100)中被20 keV Xe预非晶化并注入低能BF_2时的相互作用
机译:BF_2〜+注入硅化物/通过硅化物和快速热退火形成NiSi硅化的p〜+ n浅结
机译:B和BF_2注入在绝缘体上的硅和硅中的B和BF_2注入时,距离缺陷带的末端与上部掩埋氧化物界面之间的相互作用
机译:使用准分子激光退火在SI中激活浅B和BF_2植入物
机译:使用等离子体浸没离子注入和外延二硅化钴作为掺杂源的超浅结制造。
机译:等离子体浸没离子注入技术对金刚石中氮空位色中心浅层的工程化
机译:Xe轰击预非晶化的浅BF2植入物是:Xe和F之间的相互作用
机译:离子注入技术同时形成浅硅p-n结和浅硅化物 - 硅欧姆接触。