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Electrode-molecular semiconductor contacts: Work-function-dependent hole injection barriers versus Fermi-level pinning

机译:电极分子半导体触点:与功函数相关的空穴注入势垒与费米能级钉扎

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摘要

Contacts between two molecular organic semiconductors [p-sexiphenyl (6P) and pentacene] and conducting polymers (CPs) were investigated with photoemission spectroscopy. The dependence of the hole injection barrier (HIB) at 6P/CP interfaces on substrate work function (φ) exhibited a transition from almost Schottky-Mott limit-like behavior to Fermi-level pinning. For pentacene, no significant variation of the HIB as function of φ was observed, despite the large range of φ spanned by the CPs (4.4-5.9 eV). The results on contacts with CPs are compared to those with metals, where none of the two limiting cases for HIBs as a function of φ was observed.
机译:用光发射光谱法研究了两种分子有机半导体[对-sexiphenyl(6P)和并五苯]与导电聚合物(CPs)之间的接触。空穴注入势垒(HIB)在6P / CP接口上对衬底功函数(φ)的依赖性表现出从几乎肖特基-莫特极限状态到费米能级钉扎的过渡。对于并五苯,尽管CP跨越了很大的Φ范围(4.4-5.9 eV),但并未观察到HIB作为Φ的函数的显着变化。将与CP接触的结果与与金属接触的结果进行了比较,其中没有观察到HIB作为φ的函数的两种极限情况。

著录项

  • 来源
    《Applied Physics Letters》 |2006年第16期|p.162107.1-162107.3|共3页
  • 作者

    N. Koch; A. Vollmer;

  • 作者单位

    Humboldt-Universitaet zu Berlin, Institut fuer Physik, Newtonstr. 15, D-12489 Berlin, Germany;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 应用物理学;计量学;
  • 关键词

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