机译:硅锗源异质结双栅隧穿场效应晶体管设计的器件物理和指导原则
机译:具有硅锗源的双栅极隧道场效应晶体管的器件设计和可扩展性
机译:渐变硅锗异质结短沟道隧道场效应晶体管的物理操作和器件设计
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机译:带金属漏极的锗源双栅隧道场效应晶体管:设计与仿真
机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:双门等腰梯形隧道场效应晶体管(DGIT-TFET)的设计优化
机译:校正:具有不同低/高k EOT比率的杂栅介质隧道场效应晶体管的装置物理与设计