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【2h】

Correction to: Device physics and design of hetero-gate dielectric tunnel field-effect transistors with different low/high-k EOT ratios

机译：校正：具有不同低/高k EOT比率的杂栅介质隧道场效应晶体管的装置物理与设计

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Chun-Hsing Shih; Nguyen Dang Chien; Huu-Duy Tran; Phan Van Chuan;
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年度 2020
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