机译:在3C-SiC上实现理想的肖特基势垒
CNR-IMM, Strada VIII n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy Scuola Superiore-Universita di Catania, Via San Nullo 5/i, 95123 Catania, Italy;
CNR-IMM, Strada VIII n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy;
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Department of Physics, Chemistry, and Biology, Linkoping University, SE-58183 Linkoeping, Sweden;
CNR-IMM, Strada VIII n. 5, Zona Industriale, 95121 Catania, Italy;
机译:肖特基势垒高度不均一引起的与理想Pd / InAlN肖特基接触的偏离
机译:二极管尺寸和串联电阻对近乎理想的Au / n型GaAs微型肖特基接触二极管的势垒高度和理想因子的影响
机译:二极管尺寸和串联电阻对近乎理想的Au / n型GaAs微型肖特基接触二极管的势垒高度和理想因子的影响
机译:在N型GaN肖特基势垒二极管上的氧化Ni / Au和Ni透明导电氧化物(TCOS)的参数提取,具有偏置依赖阻挡高度和不同温度的理想因子
机译:肖特基势垒二极管及其作为肖特基势垒电阻的应用
机译:具有增强的横向肖特基势垒均质性的低功率石墨烯/ ZnO肖特基UV光电二极管
机译:使用高斯型材的3C-SiC肖特基势垒二极管在200μm厚晶片中分析了3C-SiC肖特基势垒二极管的冲击式击穿电压
机译:Gaas上过剩的电容和非理想的肖特基势垒。