Effect of diode size and series resistance on barrier height and ideality factor in nearly ideal Au type-GaAs micro Schottky contact diodes

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• 来源
  《中国物理：英文版》 |2010年第10期|477-484|共8页
• 作者

  M.A.Yeganeha; Sh.Rahmatallahpur; A.Nozad; R.K.Mamedov;

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• 作者单位

  Faculty of Physics Baku State University Academic Zahid Xlilov Kü(c)si-23 AZ 1148 Iran;

  Material Research School POB 55515196 Binab Iran;

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类
• 关键词