Effect of diode size and series resistance on barrier height and ideality factor in nearly ideal Au type-GaAs micro Schottky contact diodes

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2010年第10期|P.477-484|共8页
• 作者

  M. A. Yeganeh; Sh. Rahmatallahpur; A. Nozad; R. K. Mamedov;

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• 作者单位

  ^pof;

  Physics;

  Baku;

  State;

  University;

  Academic;

  Zahid;

  Xolilov;

  Kfgasi-23;

  AZ;

  1148;

  Iran;

  ^pResearch;

  School;

  POB;

  55515196;

  Binab;

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• 收录信息 中国科学引文数据库(CSCD);中国科技论文与引文数据库(CSTPCD);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 TN311.7;
• 关键词

  肖特基势垒二极管; 理想因子; 势垒高度; 金属膜; 砷化镓; 肖特基接触; 串联电阻; N型;

  机译：肖特基势垒二极管;理想因子;势垒高度;金属膜;砷化镓;肖特基接触;串联电阻;N型;