机译:肖特基势垒高度不均一引起的与理想Pd / InAlN肖特基接触的偏离
Research Center for Nano-Device and System, Nagoya Institute of Technology, Nagoya, Japan;
Current–voltage ($I$– $V$); GaN; InAlN; Schottky barrier height (SBH) inhomogeneity; Schottky diode; quantum dot;
机译:独立衬底劈裂表面上的n-GaN肖特基接触的电特性:肖特基势垒高度对金属功函数的依赖性
机译:肖特基势垒高度依赖性基板裂解表面N-GaN肖特基触点的电气特性 - 金属工作障碍依赖性
机译:肖特基势垒高度依赖性基板裂解表面N-GaN肖特基触点的电气特性 - 金属工作障碍依赖性
机译:用于InAlN / GaN HEMT的肖特基和欧姆接触金属化的多层防扩散势垒方案
机译:介电偶极子减轻了肖特基势垒高度调整,从而降低了接触电阻。
机译:硼铝双重注入与微波退火相结合对NiSi / Si接触处肖特基势垒高度的调节
机译:阻挡层高度对ZnO肖特基接触温度的依赖性