机译:InGaN金属-有机化学气相沉积过程中应变和成分演变的原位同步加速器X射线研究
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA Universite Paul Cezanne Aix-Marseille, IM2NP, Faculte des Sciences de St Jerome,13397 Marseille, France;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA;
Philips Lumileds Lighting Company, San Jose, California 95131, USA;
Philips Lumileds Lighting Company, San Jose, California 95131, USA;
Energy Sciences and Engineering, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA;
Department of Physics, Northern Illinois University, DeKalb, Illinois 60115, USA;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA;
Materials Science Division, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA Center for Nanoscale Materials, Argonne National Laboratory, Argonne, Illinois 60439, USA;
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机译:铟掺入诱导由金属 - 有机化学气相沉积种植的高铟含量的形态学演化和应变松弛
机译:用于隧道器件的高质量,高铟组成的N-极性InGaN层的金属有机化学气相沉积
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机译:金属有机化学气相沉积N极Ingan和Inn电子设备
机译:金属有机化学气相沉积在蓝宝石衬底上生长的低Al成分p-GaN / Mg掺杂Al0.25Ga0.75N / n + -GaN极化诱导的反向隧穿结
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