机译:片上场效应晶体管开关与无掺杂Si / SiGe量子点的集成,可进行高通量测试
Department of Physics, University of Wisconsin-Madison, Madison, Wisconsin 53706, USA;
Department of Materials Science & Engineering, University of Wisconsin-Madison, Madison,Wisconsin 53706, USA;
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机译:片上场效应晶体管开关与无掺杂Si / SiGe量子点的集成,可进行高通量测试
机译:起作用的场效应晶体管内部单个SiGe量子点上的X射线纳米衍射
机译:基于Si / SiGe的量子点和开关电容电路的片上集成
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机译:基于N沟道InGaAsP-InP的倒置通道技术器件(ICT)的设计,制造和表征,用于光电集成电路(OEIC):双异质结光电开关(DOES),异质结场效应晶体管(HFET),双极倒置沟道场-效应晶体管(BICFET)和双极型反向沟道光电晶体管(BICPT)。
机译:功能性场效应晶体管内单个SiGe量子点上的X射线纳米衍射
机译:集成片上场效应晶体管开关与无掺杂 用于高通量测试的si / siGe量子点
机译:走向硅量子点量子计算:si / siGe量子阱中的谷分裂和量子点