机译:GaN量子点集成在金属氧化物半导体结构的栅极电介质中,用于电荷存储应用
Institute of Advanced Materials, Physicochemical-Processes, Nanotechnology and Microsystems, National Centre for Scientific Research 'Demokritos,' P.O. Box 60228, Aghia Paraskevi 15310, Athens, Greece;
Institute of Advanced Materials, Physicochemical-Processes, Nanotechnology and Microsystems, National Centre for Scientific Research 'Demokritos,' P.O. Box 60228, Aghia Paraskevi 15310, Athens, Greece;
CEMES-CNRS, Universite de Toulouse, 29 rue Jeanne Marvig, BP 94347, 31055 Toulouse Cedex 4, France;
Physics Department, University of Crete, P.O. Box 2208, 71003 Heraklion, Greece;
Physics Department, University of Crete, P.O. Box 2208, 71003 Heraklion, Greece,Institute of Electronic Structure & Laser (1ESL), Foundation for Research & Technology-Hellas (FORTH), P.O. Box 1527, 71110 Heraklion, Greece;
机译:GaN量子点集成在金属氧化物半导体结构的栅极电介质中,用于电荷存储应用
机译:控制具有改进的栅极介电可靠性的高质量GaN基金属氧化物半导体器件的SiO_2 / GaN堆栈中的Ga氧化物层间生长和Ga扩散
机译:介电膜对GaN和GaN / AlGaN异质结构的表面钝化及其在绝缘栅异质晶体管中的应用
机译:具有TiO2栅极电介质的AlGaN / GaN金属氧化物半导体高电子迁移率晶体管
机译:研究常关模式的AlGaN / GaN MOS HEMT器件,该器件利用栅极后退和p-GaN栅极结构以及带有醛生长的高k栅极绝缘体来实现高功率应用。
机译:基于集成在等离子体介电波导结构中的单发射器的量子门的现实制造和设计概念
机译:介电膜对GaN和GaN / AlGaN异质结构的表面钝化及其在绝缘栅异质晶体管中的应用