有限元法计算GaN/AlN量子点结构中的电子结构

摘要

根据有效质量理论单带模型，采用有限元方法(FEM)计算了GaN/AIN量子点结构中的电子结构，分析了应变和极化对电子结构的影响，训一算了不同尺寸的量子点的能级，分析了量子点的大小对电子能级的影响。结果表明，形变势和压电势提升了电子能级，而且使简并能级分裂。随着量子点尺寸的增大，量子限制能减小，而压电势能起到更显著的作用，使电子的能级降低，吸收峰发生红移。