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应变层超晶格GaN-AlN的电子结构

         

摘要

采用有效质量理论6带模型,计算了应变层超晶格GaNAlN(001)的电子结构,具体计算不同应变状态的价带子能带色散曲线、光吸收曲线。分析了应变状态以及重轻空穴和自旋轨道分裂带相互作用对子带结构的影响。

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