University of Illinois at Urbana-Champaign;
机译:原子表面结构在III-V型化合物半导体的金属有机化学气相沉积中的作用
机译:用于原子层沉积的ii-v化合物半导体的液相和气相表面制备的比较
机译:复合半导体中缺陷和界面的原子分辨率结构成像
机译:原子表面结构在III-V复合半导体的金属化学气相沉积中的作用
机译:III-V型化合物半导体中缺陷的结构分析。
机译:基于III-V Semiconductor单纳米线的室温红外光电探测器的评论
机译:高介电常数薄膜与III-V化合物半导体之间的界面形成,采用HF化学和原子层沉积
机译:III-V族化合物半导体(110)表面上的V柱覆盖层的新表面原子结构。