Ⅱ-Ⅳ族宽禁带ZnSe/ZnS应变层超晶格瞬态荧光研究

摘要

本文报道了ZnSe/ZnS应变层超晶格的时间分辨光谱研究,样品用国产MBE设备生长。锁模YAG三倍频光泵浦置于77K中的样品,荧光由单色仪—条纹相机系统记录。实验表明,激子的形成时间和寿命分别为40和100ps。