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【2h】

Interface Formation Between High Dielectric Permittivity Films and III-V Compound Semiconductors using HF Chemistries and Atomic Layer Deposition

机译：高介电常数薄膜与III-V化合物半导体之间的界面形成，采用HF化学和原子层沉积

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Lie Fee Li;
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年度 2011
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