机译:界面陷阱辅助空穴陷阱引起的SiC MOSFET的负偏压温度不稳定性
Hestia-Power Incorporated, Hsinchu 300, Taiwan;
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机译:接口状态和氧化物陷阱对高$ k $ pMOSFET的负偏置温度不稳定性的贡献
机译:动态负偏置温度不稳定性的超快测量分离空穴陷阱和界面态产生
机译:HfSiON栅介质pMOSFET中双极性电荷陷阱引起的异常负偏置温度不稳定性。
机译:高k P-MOSFET在负偏置温度应力下将开关空穴陷阱转换为永久体陷阱的证据
机译:具有氧氮化物栅极电介质的p + -poly PMOSFET中的热孔退化和负偏压温度不稳定性(NBTI)增强。
机译:揭示光电化学性能与界面孔俘获的关系
机译:负偏置温度不稳定性的最新问题:初始退化,界面陷阱生成的场依赖性,空穴陷阱效应和弛豫