机译:揭示光电化学性能与界面孔俘获的关系,Cubi2O4异质结光电子
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机译:CU:NIO作为孔选择性的背面接触,提高CUBI2O4薄膜光电影的光电化学性能
机译:Si / SiO
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:单晶金红石型TiO2纳米棒的光电化学水氧化性能取决于改性氯的空穴俘获
机译:单晶金红石TiO2纳米棒的光电化水化水氧化依赖于改性氯化物的空穴诱惑性能
机译:通过Uv光无孔捕获在硅/二氧化硅界面处形成界面态。