机译:揭示光电化学性能与界面孔俘获的关系,Cubi2O4异质结光电子
Helmholtz Zentrum Berlin Mat &
Energie GmbH Inst Solar Fuels Hahn Meitner Pl 1 D-14109 Berlin Germany;
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Energie GmbH Inst Silicon Photovolta Kekulestr 5 D-12489 Berlin Germany;
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机译:CU:NIO作为孔选择性的背面接触,提高CUBI2O4薄膜光电影的光电化学性能
机译:高性能a-Si / c-Si异质结光电电极,用于光电化学氧和氢的释放
机译:Si / SiO
机译:硅/二氧化硅界面陷阱处的电子-空穴复合以及薄氧化物MOS晶体管中的隧穿的理论和实验。
机译:揭示光电化学性能与界面孔俘获的关系
机译:CuO / CuBi2O4异质结在可见光照射下的光电化学还原水质子