国产双极晶体管不同温度辐照下界面陷阱演化机制

摘要

对国产PNP双极晶体管开展同剂量率不同温度条件的辐照试验,研究了不同辐照温度条件下界面陷阱的演化机制.结果显示,低温辐照阶段,界面陷阱生长与辐照温度呈正相关性,温度越高,界面陷阱增长速率越快;中、高温辐照阶段,界面陷阱生长与辐照温度呈负相关性,界面陷阱生长受到抑制.本文结合温度对辐射响应的影响规律,发现氢的钝化和去钝化作用之间的竞争关系是影响界面陷阱浓度的关键因素,且该竞争机制与Si/SiO2界面处氢种类有直接关系.