Si-SiO_2界面陷阱引起的双极晶体管h_(FE)漂移的模型与模拟

摘要

本文表明,Si-SiO_2界面过渡层中的载流子陷阱对硅体内电子存在慢俘获作用,这将导致npn型双极晶体管电流放大系数h_(FE)随时间的正向漂移。从这种物理机制出发,建立了相应的数学模型。经计算机模拟分析,求得了h_(FE)随时间的漂移曲线以及温度、发射结偏压、基区表面势对这种漂移的影响。结果表明,基区表面势对漂移量的大小有重要影响,高温老化是漂移失效筛选的有效手段。